等离子键合：等离子清洗机在引线框架生产中的应用
文章导读：引线框架是IC封装行业中重要的原材料之一，它在半导体行业中应用广泛，封装的工艺需要在引线框架上进行处理，而引线框架上存在的污染物是制约半导体行业发展的重要因素；各大企业寻求各种解决的方法，一种干式清洗方式的等离子清洗机应运而生。
引线框架是IC封装行业中重要的原材料之一，它在半导体行业中应用广泛，封装的工艺需要在引线框架上进行处理，而引线框架上存在的污染物是制约半导体行业发展的重要因素；各大企业寻求各种解决的方法，一种干式清洗方式的等离子清洗机应运而生。
1、应用领域
1）点胶装片前
工件上如果存在污染物，在工件上点的银胶就生成圆球状，大大降低与芯片的粘结性，采用等离子清洗可以增加工件表面的亲水性，可以提高点胶的成功率，同时还能够节省银胶使用量，降低了生产成本。
2）引线键合前
封装芯片在引线框架工件上粘贴后，必须要经过高温固化。假如工件上面存在污染物，这些污染物会导致引线与芯片及工件之间焊接效果差或黏附性差，影响工件的键合强度。等离子体清洗工艺运用在引线键合前，会明显提高其表面活性，从而提高工件的键合强度及键合引线的拉力均匀性。
2、工艺影响
1）氩气
氩气是一种无色、无味的单原子气体，氩气的密度是空气的1.4倍，是氦气的10倍。
物理等离子体清洗过程中，氩气产生的离子携带能量轰击工件表面，剥离掉表面无机污染物。该清洗工艺可提高工件表面活性，提高封装中键合性能。
氩离子的优势在于它是一个物理反应，清洗工件表面不会带来氧化物；缺点是工件材料可能产生过量腐蚀，但可通过调整清洗工艺参数得到解决。
2）氧气
氧气是无色无味气体，是氧元素最常见的单质形态。
氧离子在反应仓内与有机污染物反应，生成二氧化碳和水。清洗速度和更多的清洗选择性是化学等离子清洗的优点。缺点是在工件上可能形成氧化物，所以在引线键合应用中，氧离子不允许出现。
3）氢气
氢气是世界上已知的密度最小的气体，氢气的密度只有空气的1/14，即在101.325千帕（1标准大气压）和0℃，氢气的密度为0.089g/L。
氢离子发生还原反应，去除工件表面氧化物。出于氢气的安全性考虑，推荐使用氢氩混合气体的等离子清洗工艺。
等离子清洗机被引用到IC封装行业的各个工序中，当然我们要根据需求进行工艺的选择，真空状态下的等离子作用能够基本去除材料表面的无机/有机污染，提高材料的表面活性，增加引线的键合能力，防止封装的分层，有利于后续的加工处理。
1）点胶装片前
工件上如果存在污染物，在工件上点的银胶就生成圆球状，大大降低与芯片的粘结性，采用等离子清洗可以增加工件表面的亲水性，可以提高点胶的成功率，同时还能够节省银胶使用量，降低了生产成本。
2）引线键合前
封装芯片在引线框架工件上粘贴后，必须要经过高温固化。假如工件上面存在污染物，这些污染物会导致引线与芯片及工件之间焊接效果差或黏附性差，影响工件的键合强度。等离子体清洗工艺运用在引线键合前，会明显提高其表面活性，从而提高工件的键合强度及键合引线的拉力均匀性。
1）氩气
氩气是一种无色、无味的单原子气体，氩气的密度是空气的1.4倍，是氦气的10倍。
物理等离子体清洗过程中，氩气产生的离子携带能量轰击工件表面，剥离掉表面无机污染物。该清洗工艺可提高工件表面活性，提高封装中键合性能。
氩离子的优势在于它是一个物理反应，清洗工件表面不会带来氧化物；缺点是工件材料可能产生过量腐蚀，但可通过调整清洗工艺参数得到解决。
2）氧气
氧气是无色无味气体，是氧元素最常见的单质形态。
氧离子在反应仓内与有机污染物反应，生成二氧化碳和水。清洗速度和更多的清洗选择性是化学等离子清洗的优点。缺点是在工件上可能形成氧化物，所以在引线键合应用中，氧离子不允许出现。
3）氢气
氢气是世界上已知的密度最小的气体，氢气的密度只有空气的1/14，即在101.325千帕（1标准大气压）和0℃，氢气的密度为0.089g/L。
氢离子发生还原反应，去除工件表面氧化物。出于氢气的安全性考虑，推荐使用氢氩混合气体的等离子清洗工艺。
