数据显示，2017年全球功率半导体市场中，工业应用市场占比为34%，汽车应用市场占比为23%，消费电子应用占比为20%，无线通讯应用占比为23%。
半导体功率器件在功率半导体中十分重要。目前，国内以扬杰科技、华微电子、士兰微为代表的功率半导体龙头企业市场占有率非常低，进口替代的空间巨大。据中商产业研究院，2018年国内半导体功率器件10强企业中，排名第1的为吉林华微科技，2017年营收达16.4亿元。扬州扬杰电子科技排名第2，2017年营收为14.7亿元。以下为排名：

功率器件市场现状：欧美日把持，国内仍需努力
 
纵观整个功率器件市场，整体态势是欧美日厂商三足鼎立。 其中美国功率器件处于世界领xian地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等厂商。欧洲拥有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半导体大厂。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中国台湾拥有富鼎先进、茂达、安茂、致新和沛亨等一批厂商。而我国则有上述代表。
 
功率半导体器件细分领域多， 行业整体增速较缓，大厂倾向于业内并购，通过布局新领域实现增长。 2016 年英飞凌科技成为全球功率半导体的主要供应商，其在 2015 年初收购美国国ji整流器公司（InternationalRectifier）后，英飞凌超过三菱电机成为领xian的功率模块制造商。 德州仪器在 2015 年被英飞凌超越后，于 2016年退居全球第2。 安森美完成对飞兆半导体（Fairchild）的收购后，市场排名升至第三位，其在功率分立器件市场份额跃升 10%。 2016 年建广资本以 27.5 亿美元并购了 NXP 的标准器件部门，中国企业第1次进入行业全球前10强。
 
虽然国内功率器件近几年获得了不少的突破，且国内功率半导体器件市场规模大，但我们应该看到国内产业仍处于起步阶段。 
 
据赛迪顾问， 2016 年， 中国功率半导体市场规模达到了 1496 亿元， 占据了全球 40%以上的市场。 然而供应链仍然被国外厂商所垄断， 国内企业相对而言规模较小、技术落后、品类不全，产业仍然处于起步和加速追赶的阶段。 国内功率半导体企业排名第1的吉林华微， 2016 年营收为 13.95 亿元，净利润仅为 4060 万元。而全球行业老大英飞凌 2016 集团营收高达 64.73 亿欧元， 中国龙头企业和行业龙头的差距在 30 倍以上。
 
据 Yole， 功率 IC 市场竞争格局成熟，供应链较为完善了。 美国在功率 IC 领域具有领xian优势，欧洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有较强实力， 日本在功率 IC 芯片方面，虽然厂商数量众多，但整体市场份额不高。 功率 IC 下游核心产品—电源 IC， Dialog、 Qualcomm 以及 Maxim 三家主要供应商以遥yao领xian的市占率主宰了智能手机市场。 2016 年建广资本 27.5 亿美元收购 NXP 标准部门完成交割，力图填补国内汽车、工业 IC 领域空白。
 
细分到各个领域，在功率二极管方面，国内厂商具竞争力，进口替代空间大。 
 
这个领域，guo际zui大厂商是 Vishay，占据11.71%市场份额，而后第2至第7大厂商市场份额为 5%-8%，与第1相差无几，再在其后厂商市场份额不足 5%，市场相对分散。其中国内厂商扬杰科技市场份额为 2.01%。功率二极管技术成熟、市场进入门槛低， 注重的是生产过程的控制和成本的控制。国内厂商由于生产工艺控制精湛、人力成本低具有一定竞争力，国产替代空间较大。 根据工信部发布的中国电子信息产业统计年鉴， 自 2014 年后， 中国二极管及类似半导体器件出口数量持续超过进口额。
 
在硅基MOSFET方面，国内厂商潜力大，进口替代正当时。国内厂商主要集中在低压 MOSFET领域，中高压 MOSFET 主要被国外厂商占据。据 IHS，国内功率 MOSFET 市场主要厂商是英飞凌， 2016 年市场份额达 28.5%，与位于第二的安森美半导体占据了国内将近一半市场。国内厂商只有士兰微和吉林华微上榜，分别占据了 1.9%和 1.1%的市场份额，进口替代的空间巨大。
 
2016 年， 建广资本以 27.5 亿元收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors）标准产品业务部门， 成立一家名为 Nexperia 的独立公司。
 
Nexperia 承接了 NXP 中 MOSFET 所有业务，一跃成为 MOSFET 领域全球第十、国内第八（市场份额 3.8%）的厂商。 NXP 是工业与汽车半导体领域大厂商， 相比之下，工业和汽车半导体一直是中国半导体企业的弱项，由于这个领域的产品门类多、单量小、售价高、迭代慢，国内企业很难进入。 Nexperia 的成立弥补了国内厂商在这一领域的短板。此外， 2016年建广资本还与 NXP 成立合资公司瑞能半导体，产品主要为二极管、双极性晶体管、可控硅整流器， 以及收购 NXP RF Power 部门，成立安谱隆公司致力于射频技术领域的创新与研发。
 
至于硅基 IGBT，海外厂商优势明显， CR4 高达 70.8%。
 
据 IHS， 2016 年， 英飞凌、 三菱电机、 富士电机(Fuji Electric)、 德国赛米控(SEMIKRON)四大海外供应商占了全球 IGBT 市场的 70.8%。尽管中国功率半导体市场占世界市场的 40%以上，但在 IGBT 主流器件上， 90%主要依赖进口，目前仅在大功率轨道交通领域实现国产化， 2016 年国厂嘉兴斯达、中国中车市占率分别为 1.6/0.6%。
 
值得一提的是中国中车，他们立足高铁用 IGBT，快速推进。 在合并前，北车在 IGBT 模块封装上与 ABB技术合作，建设高功率模块生产线，成为国内第1家能够封装 6500V 大功率模块及解决方案的提供商。南车则在海外收购 Dynex 公司建立 IGBT 芯片设计中心，总投资 14 亿元建设国内首条八英寸 IGBT 芯片生产线，除芯片外，还有 9 条满足不同行业的 IGBT 模块生产线，预计完全投产后，中车将年产 12 万片 8 英寸 IGBT 芯片和 100 万只 IGBT 模块。
 
来到第三代半导体方面，依然是海外公司技术领xian， 国内起步时间晚， 尚在追赶。
 
 SiC 关键技术由海外公司垄断，从产业链来看，上游部分， CREE 公司独占 SiC 晶元制造市场份额 60%以上；中游部分，英飞凌、 CREE、意法半导体和安森美等功率半导体领域国ji排名前十的企业合计已在 SiC 功率器件市场占据 50%以上份额。 相比于美国 CREE 公司于 2003 年推出 SiC 产品， 国内公司起步晚，技术相对落后。直到 2015 年初，泰科天润才第1次实现了碳化硅肖特基二极管的量产，目前国内 SiC 产业规模于国外相比尚有较大差距。
 
由此可见，对于中国功率器件厂商来说，依然任重而道远！

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