台积电再加大投入，研发3nm
文章导读：台积电在过去五年现已投资逾500亿美元在工艺和产品研发，以台积电规划打造台湾贝尔实验室的规划，预定今后几年仍会投入到数百亿美元在新科技和新材料的产品研发，继续扮演台湾半导体业领头羊。鉴于摩尔定律逐渐到了物理ji限，3nm被认为是zui后的一代硅基半导体工艺，因为1nm节点会遭遇严重的干扰。
台积电董事长刘德音昨（31）日主持台湾半导体产业协会（TSIA）年度论坛结语时表露，台积电会扩大产品研发能量，将于竹科新建产品研发中心，打造成台湾的贝尔实验室，预计再扩增8,000名产品研发大军，投入到今后二、三十年科技和材料产品研发及半导体产业的基础研究。
台积电在过去五年现已投资逾500亿美元在工艺和产品研发，以台积电规划打造台湾贝尔实验室的规划，预定今后几年仍会投入到数百亿美元在新科技和新材料的产品研发，继续扮演台湾半导体业领头羊。台积规划新产品研发中心，基地位于新竹县宝山乡，面积约32.7公顷，目前全案已进入环评补件阶段，根据台积电之前的资料，整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式开工建设，耗资超过4000亿新台币，折合879亿人民币或者130亿美元。。台积电幕僚表述，之后台积电3纳米以下的产品研发都会在此产品研发中心进行。
鉴于摩尔定律逐渐到了物理ji限，3nm被认为是zui后的一代硅基半导体工艺，因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题，三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺，借助使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该工艺可以显著增强晶体管性能，主要是取代FinFET晶体管工艺。
但台积电方面表述，他们 的3nm工艺技术和产品研发十分顺利，目前有初期的客户已参与进来，和台积电一同进行工艺定义，3nm工艺将会在今后更进一步地稳固台积电的行业内的地位。目前，3nm工艺仍在初期产品研发阶段，台积电也并没有提供任何的技术细节，及其性能、功耗指标，例如相比5nm工艺能提升多少，仅仅说3nm将是一个新一代的工艺节点，而不是5nm的改良版。
台积电仅仅说，现已评定了3nm工艺全部可能的晶体管结构设计，并与客户一同获得了特别好的解决方法，详细规范已经在进一步开发中，公司有决心符合大客户们的全部需要。
台积电此前曾披露，规划在2022年就量产3nm工艺。台积电追求工艺自主，这几年继续扩大产品研发规模，经费逐渐提升，光去年的产品研发经费就已占营收的8%，约达858.95亿元之高，较前年的807.32亿元增加，也超越台湾半导体业界，今年占比估为8.6%，金额站上千亿元，再写新猷。
本文来源：经济日报
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